研究紀要第35号 学習指導に関する研究 - 034/066page

図9

�B　測定結果（Aの場合）

バックグラウンドは，45CPm（1分計測）

厚さ mg/c�u	計数率	厚さ mg/c�u	計数率
0 54 189 413	16345 20236 21698 24033	683 1071 1361	25638 27801 27820

図10　β 線の後方散乱（A）線源はSr⁹⁰

●測定値の処理過程については，実験（1）と同様だから省略する。
●グラフは，計数率をそのままプロットして描いてもよいが，ここでは，計数率の増加率をプロットする。
　つまり，横軸に厚さmg/c�uをとり，たて軸には，その計数率nと後方散乱がない場合の計数率noの比n/noをとってグラフを描く。

厚さmg/c�u	n/no
54 189 413 683 1071 1361	1．24 1．33 1．47 1．57 1．70 1．70

●このグラフから飽和点に達する厚さと計数率の増加率n/noを読みとると
　　　　　1080mg/c�u と1．7を得る。
●Sr⁹⁰を線源とした場合の，後方散乱が飽和に達するAの厚さが1080mg/c�uという測定結果は，予想値から大きく離れている。
　つまり，Sr⁹⁰から放射されるβ 線のA中での最大飛程は，およそ1100g/c�uで，後方散乱の場合はA板を往復するわけであるから飽和点でのA板の厚さは，この最大飛程の1/2倍，550mg/c�u程度と考えられる。
　この，差を生ずる主な原因としては，測定箱の器壁で散乱されるβ 線が計測に加わっていることをあげることができよう。

　

3　γ 線と物質の相互作用

●γ 線と物質の相互作用は，三つの原因に基づいている。すなわち，光電効果，コンプトン効果そして電子対創生である。
　いま，Io個のγ 光子が吸収層をdcm通ったときの強さ I は
　　　　　I = Ioe^−μd
であたえられるが，ここで線型吸収係数 μ は
　　　　　μ＝μ1＋μ2＋μ3

●μ1 は光電効果による吸収係数で，比較的低エネルギーの領域で効果を示しZ⁵に比例する値をもつ。（Zは原子番号）　※1
●μ2 はコンプトン効果による吸収係数で，、光電効果よりはエネルギーの高い領域で起り，Zに比例する値をもつ。　※2
●μ3 は電子対創生による吸収係数で，より高いエネルギー領域（1．02Mev 以上）で起るもので，Z² に比例する。　※3